作為第三代半導體的代表材料，碳化硅市場正在迅速發展。與硅材料相比，碳化硅襯底上的半導體器件具有功率大、耐壓高、耐高溫、頻率高、能耗低、抗輻射能力強等優點。可廣泛應用于新能源汽車、5G通信、光伏發電、軌道交通、智能電網、航空航天等現代工業領域。隨著下游行業對輕量級半導體速率器件、高轉換效率和低加熱特性的需求不斷增加，已成為電力器件中取代Si的必然發展趨勢。碳化硅市場的發展也有利于氣流粉碎機、氣流分級機的市場的穩定發展。

2014年，全球碳化硅電力半導體市場僅為1.2億美元。隨著對混合動力汽車、電動汽車、電源設備和太陽能轉換器需求的增加，全球碳化硅電力半導體市場將從2017年的3.02億美元迅速增長到2023年的13.99億美元，年復合增長率為29%。到2020年，市場規模將達到35億元，40%的復合年增長率將繼續快速增長。

碳化硅的產業鏈可以分為三個產業環節，一是上游襯底，二是中游外延片，三是下游器件制造。縱觀整個碳化硅產業，美，日，歐呈現三足鼎立的態勢，寡頭競爭明顯。20世紀80年代以來，為了保持航天，軍事和科技強國的地位，美，日，歐等發達國家始終把寬禁帶半導體技術放在極其重要的戰略地位，投入巨資實施了一批裝備系統能力這些國家和地區在碳化硅半導體領域一直走在世界前列。 SiC半導體器件的產業化主要以德國英飛凌，美國Cree公司，GE，日本Romani公司，豐田公司等為代表。

與美國、日本和歐洲相比，中國的碳化硅企業雖然在技術、生產能力等方面仍然缺乏，但目前中國的碳化硅產業鏈已經開始形成，在碳化硅產業化的基礎上，國內企業有望在當地市場實現彎道趕超。

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